培训大纲：
第一章：器件选型与替换的基本问题
1.1、器件替换常见问题现象
1.1.1、原来正常工作的产品在器件替换后不能工作或性能降低
1.1.2、器件替换后，批次不良率数据变差
1.1.3、初次选型或替换时需要关注的故障诱发指标参数有哪些
1.1.4、如上问题的成因机理、分析方法
1.2、器件选型与替换技术分析要素
1.2.1、封装带来的问题
1.2.2、内部结构和材质带来的问题
1.2.3、制造工艺带来的使用性问题
1.2.4、内部电路不同带来的参数差异
----相同功能器件的内部拓扑图对比、接口特性差异分析
1.2.5、批次质量水平一致性评价方法
----以TVS、MOS管为例说明一致性指标的选择、统计分布图特征与隐含问题
1.2.6、有益参数和有害参数识别
----以电容、运放为例说明在不同电路中的有益有害指标识别方法
1.2.7、器件应用前后级匹配选型设计注意事项
----阻抗匹配原理，以数字芯片数据接口和模拟放大电路信号采集端口为例
第二章：导致器件故障的应力类型与场合
2.1、瞬态EOS与累积性EOS
----EOS成因、损伤特征、瞬态/累积性EOS特征对比、解决措施
2.2、温度与温度冲击
----器件受温度和温度冲击应力的影响部位和机理，故障特征
2.3、闩锁
----CMOS类IC的闩锁失效机理、测试方法、故障特征、解决措施
2.4、热损伤
----成因（瞬态过流、持续过流、负荷特性曲线超标）、损伤特征、解决措施
2.5、力学损伤
----温度/温度冲击/振动导致的力学损伤机理、损伤特征解决措施
2.6、MSD
----潮敏器件的内部结构，失效的特征、机理、解决措施
2.7、潮湿与腐蚀
----腐蚀的机理，故障特征、解决措施
2.8、VP 与 ESD
----尖峰电压的产生场合，损伤特征、解决措施
2.9、过渡过程
----过渡过程对能量接口和数据接口的不同影响分析、过渡过程超调和振荡的产
生场合、解决措施
2.10、热插拔
----热插拔的发生场合、损伤特征、解决措施
2.11、接地不良
----接地不良引起器件故障的发生机理、解决措施
2.12、设备互联匹配问题
2.13、电感瞬态过程
----反向电动势的影响、解决措施
2.14、电容瞬态过程
2.15、时间应力自然老化
2.16、气压问题
----安规、高压、发热、密封器件的压差作用机理
第三章：选型认证与替换方法、入厂筛选和寿命终止极限判定
3.1、分立元件
----电阻、电容、电感、磁珠、导线的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据
3.2、保护类器件
----保险丝/TVS/MOV/压敏电阻/GDT/NTC电阻/PTC电阻的筛选指标、
质控条件判据、寿命终止判据
3.3、模拟类IC类器件
----运放、ADDA、LDO的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据
3.4、接口器件
----光耦隔离电路、CAN总线、485总线、模拟信号传输接口电路的筛选指标、
质控条件判据、寿命终止判据
3.5、二极管三极管
----筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据
3.6、功率开关器件
----MOSFET/IGBT/功率三极管/继电器的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据
3.7、按键
3.8、线缆接插件
----筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据
3.9、数字类IC器件
----MCU、存储芯片、逻辑门电路的筛选指标、质控条件判据、寿命终止判据
第四章：器件失效分析方法
4.1、目测与镜检
4.2、参数统计分析方法
4.3、IV曲线
4.4、DPA
4.5、X光
4.6、失效特征示例和失效特征判别方法
----以IC芯片、电阻、电容、二极管三极管、保护器件为例分别展开
培训讲师：武晔卿
电子工程硕士，研究员，研究领域：电子可靠性技术。
曾任航天总体所主任设计师，研发制造企业研发总监，北京市级优秀青年工程师，科协委员。
对电子可靠性设计、测试、失效分析等技术有24年的资深专注研究，出版专著《嵌入式系统可靠性设计技术与案例解析》、《电路设计工程计算基础》。
曾为航天、中电、汽车、中科院、航空、医疗电子、通信、安防、电力电子、分析仪器、工业控制、消费电子、高校等多行业几百家客户提供电路板故障诊断、器件失效分析、可靠性设计审核、测试方案用例设计及问题分析、咨询培训辅导等服务。
专注于电子可靠性设计、器件失效分析、工程计算、测试方法、技术方法论等方面的研究。
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